半导体制造中必要的微量杂质检测与控制
制造半导体所用的特殊气体必须是高纯度的，因为这一过程非常精确。即使存在万亿分之一的微量杂质，也会导致整批晶圆的损失。在这些应用中，关键参数的可靠、可重复测量（检测下限小于100 ppt）至关重要。
满足您所有测量需求的一站式供应商
我们为您提供所有关键微量杂质的可靠测量，许多参数的检测水平低至十亿分之一。您可以从单一供应商提供的完整解决方案中获得方便和安心。为了更加方便，还可以使用单个分析仪系统进行多种微量杂质测量。
监测和控制特殊气体中微量杂质的完整解决方案
我们的氧气和水分分析仪和传感器，连同过程气相色谱仪，提供了一个完整的解决方案来监测和控制惰性气体、特殊气体和有毒气体的纯度，如：氮气（N2）、氦气（He）、氩气（Ar）、氧气（O2）、氢气（H2）、六氟化钨（WF6）、八氟环丁烷（C4F8），硅烷（SiH4）、锗烷（GEH4）、一氧化二氮（N2O）和三氟化氮（NF3）。
产品选择
高纯气体中的微量氧
| 应用/服务 | 测量范围 | 测量气体/背景气 | 推荐产品 |
|---|---|---|---|
| 高纯气体中氧污染的监测 | 0-100ppb | N2, H2, Ar | PI2-UHP100 & PI2-MS1000 |
| 监测大气钎焊和退火铜膜用高纯氢清除剂气体的氧污染 | 0-100ppb O2 | N2, H2, Ar | PI2-UHP100 & PI2-MS1000 |
高纯气体中的水分污染
| 应用/服务 | 测量范围 | 测量气体/背景气 | 推荐产品 |
|---|---|---|---|
| 高纯气体中水分污染的监测 | 0-100 ppbV H2O 0-10 ppmV H2O 50 ppmV H2O 100 ppmV H2O -120 至 -40°C 露点 |
全氟化合物 (FFCs), N2, H2, Ar 等 | QMA401 Pura-TX-2WS800-RS |
确定高纯气体的纯度
| 应用/服务 | 测量范围 | 测量气体/背景气 | 推荐产品 |
|---|---|---|---|
| 确定高纯气体的纯度 | 85-100ppt | H2, N2, CH4, CO, NMHC, Ar/He, Ar, O2, | MultiDetek2 |
Process Monitoring & Control
| 应用/服务 | 测量范围 | 测量气体/背景气 | 推荐产品 |
|---|---|---|---|
| 热处理硅片-监测硅片氧化炉中的微量氧 | 0-10 ppm O2 | N2, H2 | GPR-1600 GPR-1200 |
| 焊接回流炉惰性化与晶圆制造 | <10 ppm O2 | N2 | Microx |
| 化学气相沉积室中的清洁过程–用高纯氮吹扫后监测湿度水平 | 0-100 ppmV H2O 0-10 ppmV H2O 50 ppmV H2O 100 ppmV H2O -120 至 -40 °C |
N2 | Pura-TX-2W QMA401 |
环境氧监测
| 应用/服务 | 测量范围 | 测量气体/背景气 | 推荐产品 |
|---|---|---|---|
| 人员安全的环境监测.受限空间中氧气不足的人员防护 | <19.5-20.0% | Air, N2 | Gasenz |
应用选择
样气杂质
检测下限
注:噪音水平是基于使用氦保护气体的噪声峰值